在最新舉辦的臺(tái)積體管國(guó)際電子元件會(huì)議 (IEDM) 中，芯片制造商臺(tái)積電提供了該公司 1 萬(wàn)億個(gè)晶體管的電計(jì)芯片封裝路線，這種封裝方式是劃年在芯片上使用 3D 封裝小芯片集成，不過(guò)臺(tái)積電也透露了正在致力于開(kāi)發(fā)在單片硅上包含 2000 億個(gè)晶體管的實(shí)現(xiàn)芯片。

為了實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，工個(gè)晶臺(tái)積電重申正在致力于 2 納米級(jí)的封裝 N2 和 N2P 生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)以及 1.4 納米級(jí)的 A14 和 1 納米級(jí)的 A10 制造工藝，其中 N2 和 N2P 工藝預(yù)計(jì)在 2025~2026 年實(shí)現(xiàn)，超過(guò)A14 工藝預(yù)計(jì)在 2027~208 年實(shí)現(xiàn)，億網(wǎng)A10 工藝則要到 2030 年實(shí)現(xiàn)。藍(lán)點(diǎn)

臺(tái)積電預(yù)計(jì)其封裝技術(shù)包括 CoWoS、InFO、電計(jì)SoIC 等將取得進(jìn)步，劃年這將讓臺(tái)積電能夠在 2030 年左右構(gòu)建封裝超過(guò) 1 萬(wàn)億個(gè)晶體管的實(shí)現(xiàn)大規(guī)模多芯片解決方案。

近年來(lái)由于技術(shù)和財(cái)務(wù)挑戰(zhàn)，工個(gè)晶芯片制造商們對(duì)于前沿工藝技術(shù)的封裝發(fā)展有所放緩，臺(tái)積電和其他公司面臨同樣的挑戰(zhàn)，但臺(tái)積電有信心按照自己的計(jì)劃推出 2nm、1.4nm 和 1nm 工藝節(jié)點(diǎn)。

英偉達(dá)已經(jīng)推出的 GH100 GPU 芯片集成了 800 億個(gè)晶體管，GH100 芯片也是臺(tái)積電代工的，這是市場(chǎng)上最復(fù)雜的單片處理器之一。

臺(tái)積電稱很快就會(huì)有更復(fù)雜的單片芯片，集成的晶體管數(shù)量將超過(guò) 1000 億個(gè)，但構(gòu)建如此大型的處理器也變得越來(lái)越復(fù)雜和成本飆升，因此不少公司選擇多芯片設(shè)計(jì)，例如 AMD 的米蘭 300X (MI300X) 和英特爾的 Ponte Vecchio 就是由 10 多個(gè)小芯片組成。

不過(guò)臺(tái)積電認(rèn)為這種趨勢(shì)也會(huì)繼續(xù)下去，而在幾年后我們將可以看到集成總數(shù)超過(guò) 1 萬(wàn)億個(gè)晶體管的多芯片解決方案，與此同時(shí)，單芯片也將變得更加復(fù)雜，臺(tái)積電認(rèn)為后續(xù)可以看到最多集成 2000 億個(gè)晶體管的單芯片。

臺(tái)積電的工藝技術(shù)發(fā)展也在倒逼其客戶跟著發(fā)展，使用臺(tái)積電代工的公司也必須同步開(kāi)發(fā)邏輯技術(shù)和封裝技術(shù)，這也是為什么臺(tái)積電將生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)的演變和封裝技術(shù)放在一個(gè)演示文稿中的原因。

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